Der weltgrößte Speicherhersteller Samsung kündigt die komplette Fertigung des DDR2-Produktspektrums von 512 MBit bis 2 GBit in 60-nm-Prozesstechnologie zum Jahresende an. Dies wird ermöglicht durch die Entwicklung der 60nm 2-GBit-DDR2-DRAMs, welche nun reif für die Serienproduktion sein soll. Gegenüber den bisherigen Modellen in 80nm sollen die neuen Modelle eine 20 Prozent höhere DRAM-Performance bringen und eine Geschwindigkeit von 800 MBit/s leisten. Zudem lässt sich nun eine 40 Prozent höhere Fertigungseffizienz erzielen, was aus dem Shrink auf eine kleinere Fertigungsgröße resultiert.

Samsung bietet die 2-GBit-DDR2-Chips in vier Modultypen an: 8 GB Fully-Buffered, Dual Inline Memory Module (FBDIMMs), 8 GB Registered, Dual Inline Memory Module (RDIMMs), 4 GB Unbuffered, Dual Inline Memory Module (UDIMMs) und 4 GB Small Outline, Dual Inline Memory Module (SODIMMs). Das Marktforschungsunternehmen Gartner Dataquest geht davon aus, dass der Markt für 2-GBit-DRAMs bis 2011 ein Volumen von 14 Mrd. US-Dollar erreicht und damit 47 Prozent des Gesamtmarktes für DRAMs ausmacht.
[bb]