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Intel und Micron mit revolutionärem 3D-NAND-Flash-Speicher schon nächstes Jahr

Storage & Speicher | HT4U.net
Intel und Micron haben ihre neue 3D-NAND-Technologie vorgestellt, welche die Speicherdichte von Flash-Bausteinen massiv erhöhen soll. Durch außerordentliche Präzision bei der vertikalen Stapelung der Flash-Zellen will man, verglichen mit bisherigen 3D-NAND-Speicherbausteinen von Mitbewerbern, eine dreimal höhere Kapazität erreichen. So sollen mehr als 10 TB Speicher auf einer 2,5-Zoll-SSD Platz finden. Zudem verspricht man günstige Fertigungskosten.

Die ersten Speicherbausteine der neuen 3D-Technologie, bei denen 32 Schichten aus Speicherzellen vertikal in einem Package untergebracht werden, verwenden die schon von klassischen 2D-NAND-Fertigungen bekannten Floating-Gate-Zellen. Die Mitbewerber setzen bei ihren 3D-NAND-Produkten bislang auf Charge-Trap-Zellen. Somit sollen Kapazitäten von 256 Gigabit in der Multi-Level-Cell-Variante (MLC: 2 Bit pro Speicherzelle) oder 384 Gigabit in der Triple-Level-Cell-Variante (TLC: 3 Bit pro Zelle) pro Die erreicht werden, so dass 512 GB (MLC) beziehungsweise 768 GB (TLC) Speicherkapazität auf einem Chip-Package untergebracht werden können. Von der MLC-Variante sollen bereits funktionierende Testsamples hergestellt worden sein, erste Muster der TLC-Variante will man noch in diesem Frühjahr produzieren.

Neben einer hohen Datendichte verspricht man auch eine höhere Haltbarkeit der Speicherzellen. So sollen die 3D-NAND-TLC-Zellen aufgrund erhöhter Schreibzyklen auch als Datenspeicher in Rechenzentren geeignet sein. Mutmaßlich wird diese Langlebigkeit durch den Einsatz relativ großer Strukturbreiten erreicht.

Neben günstigen Produktionskosten, hoher Kapazität und hoher Zuverlässigkeit soll auch die Leistungsaufnahme niedrig ausfallen. So soll etwa ein neuer Sleep-Modus, der, selbst wenn die anderen Zellen im selben Package aktiv sind, die Stromzufuhr zu nicht aktiven NAND-Zellen unterbindet.

Bild: Intel und Micron mit revolutionärem 3D-NAND-Flash-Speicher schon nächstes Jahr


Intel und Micron wollen die Massenproduktion von Speicherbausteinen, die auf die neue 3D-NAND-Technologie aufbauen, bereits Ende dieses Jahres beginnen, so dass mit Endprodukten schon im nächsten Jahr gerechnet werden kann.
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