BIOS: Das Geheimnis des Erfolges

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Speicherlatenzen: Die Unbeachteten



Diese vier eben untersuchten Latenzen bestimmen im Wesentlichen die Dauer eines Speicherzugriffes und werden daher oft auch als die Standard-Timings bezeichnet.
Die im Folgenden untersuchten Verzögergung werden dagegen oft Subtimings genannt.

Bild: BIOS: Das Geheimnis des Erfolges

ACT to ACT Delay / RAS-to-RAS Delay (tRRD):

Unter dem „Activate to Active Delay“ oder auch „RAS-to-RAS Delay“ versteht man die Zeitverzögerung, die für das Versenden von zwei aufeinander folgenden Aktivierungsbefehlen für zwei unterschiedliche Zeilen, innerhalb des selben DRAM Moduls, nötig ist.

Row Cycle Time (tRC):

Es handelt sich hierbei um die gleiche Verzögerung wie beim „ACT to ACT Delay“, nur dass es sich hier die Zeilen identisch sind.

Rank Write To Read Delay (tWTR):

Diese Verzögerung steht für das Zeitintervall zwischen dem Ende eines Schreibvorganges und dem Start eines Lesebefehls einer "Tabellen"-Spalte.

Write to Precharge Delay (tWR):

Kleinst mögliches Zeitintervall zwischen dem Ende eines Schreibvorganges und dem Start eines Precharge-Befehls.

Refresh to ACT Delay (tRFC):

Die Option bedeutet ausgeschrieben „Refresh to Active/Refresh Command Time“. Sie gibt an wie lange der Chip Zeit hat, seine Speicherbänke wieder aufzufrischen (DRAM-Speicher müssen ständig aufgefrischt werden, um Daten halten zu können). Das dauert eine gewisse Zeit und während eines Refreshs kann natürlich nicht auf die entsprechenden Daten zugegriffen werden.

Read To Precharge Delay (tRTP):

Mit dieser Option kann das Zeitintervall zwischen einem Lese- und einem Precharge-Befehl festgelegt werden.