Intel Core i7 "Nehalem" im Test - des Kaisers neue Kleider

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Core i7-Praxis: der richtige Speicher, die richtige Spannung



Mit Einführung der DDR3-Speichertechnik in den Desktop-Bereich bedurfte es natürlich entsprechender Spezifikationen für diesen Speicher. Diese verabschiedet in aller Regel die JEDEC mit ihren angehörigen Firmen im Gremium. Und obgleich die offizielle Spezifikation für DDR3-Spiecher eine Spannung von 1,5 Volt, +/- 0,075 Volt vorsieht, trat am Markt das gleiche ein, was man schon eine ganze Weile zuvor bei DDR- und DDR2-SDRAM beobachten konnte. Sogenannte High-End-Module, welche sich an Übertakter und Enthusiasten richten, versprechen deutlich niedere Latenzen bei höherer Bandbreite, welche fast ausschließlich durch massive Erhöhung der Speicherspannungen erkauft wurden.

Bild: Intel Core i7

Schon seit Beginn dieser Vorgehensweise gab es immer wieder Probleme und von Ausfällen wurde berichtet. Bei den ersten DDR-SDRAM Modulen, welche noch intern geregelt wurden, grillten zu hohe Spannungen am Speicher die integrierten Wandler. Mit dem Shrink bei den AMD-Prozessoren von 90 auf 65 nm und der Vorstellung von Vier-Kern-Prozessoren – wir sprechen natürlich vom Phenom – wurden plötzlich Gerüchte laut, dass einige Prozessoren dort gar durch zu hohe Speicherspannungen Defekte erlitten.

Intel hatte bislang die Speichercontroller in den Northbridges der Mainboardchipsätze platziert und von Ausfällen durch zu hohe Speicherspannungen der dortigen Controller – meist in Strukturbreiten zwischen 80 und 90 nm gefertigt – hörte man bislang nichts. Nun, mit dem Core i7 ändert sich grundlegend, dass der Speichercontroller in den Prozessor wandert und zusätzlich die Strukturbreiten mit 45 nm um ein Vielfaches kleiner sind, als bei Northbridge-Chips.

Schon im Vorfeld der Nehalem-Vorstellung rankten sich erste Gerüchte, verursacht durch aufgetauchte Mainboardfotos mit Warnschildern, dass die Core i7-CPUs nicht mit hohen Speicherspannungen umgehen könnten.

Bild: Intel Core i7

 

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