Intel Core i7 "Nehalem" im Test - des Kaisers neue Kleider

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Core i7-Praxis: der richtige Speicher, die richtige Spannung (Fortsetzung)



Wir hatten bei Intel allerdings noch einmal genauer nachfragen wollen, was es mit den möglichen Beschädigungen des Prozessors auf sich haben könnte und ob man bei eigenen Laborversuchen denn auch Prozessoren so beschädigen konnte. Letzten Endes hüllte sich Intel nun aber in Schweigen und verwies deutlich auf die Spezifikationen, in dessen Rahmen man sich zu bewegen habe. Dabei bezog man sich auf die Spezifikationen der JEDEC – nur, wie oben ausgeführt, sieht diese maximal 1,575 Volt und nicht 1,6 Volt vor, wie Intel dies in seinen Briefing-Unterlagen zusieht.

Obwohl die Speicherproduzenten aktuell schon jede Menge Triple-Channel-Speichermodule angekündigt oder auf den Markt gebracht haben (hier, hier und hier nachzulesen), bröselt man die Intel-Empfehlungen und die JEDEC-Spezifikationen schon wieder auf, denn nun ist die Rede 1,65 Volt Speicher-Spannung.

Man will an dieser Stelle nicht zu kleinlich sein, aber die Frage ist natürlich gerechtfertigt, wohin dieses Schiff denn nun steuern wird. Gleichzeitig muss man sich fragen, was mit all den bislang schon gefertigten DDR3-High-End-Modulen ist, die im DDR3-1600 oder höher angesiedelt sind, laut Hersteller dazu aber Spannungen von 1,8, 1,9 oder gar 2 Volt benötigen?

Nun, man sollte diese in Verbindung mit einem Core-i7-Prozessor keinesfalls auf diesen Spannungen betreiben. Die Gründe dafür lassen sich durchaus technisch erklären. Letzten Endes stellt nämlich die Spannung, welche am Speicher anliegt die I/O-Spannung dar, mit welcher auch mit dem Speichercontroller kommuniziert wird. Und prinzipiell bedeutet dies, dass man den Speichercontroller im Prozessor dann ebenfalls mit dieser hohen Spannung betreibt. Intel sieht aber ganz offensichtlich eine maximale Spannung für diesen Controller mit 1,6 Volt als unkritisch an.

Bild: Intel Core i7

Beachtet man, dass bei den kleinen Fertigungsstrukturen unterhalb 65 nm kleinere Dimensionen zu höheren Feldstärken führen und jede weitere Spannung in einem massiven Anstieg der elektrischen Feldstärke resultiert, kann man leicht ableiten, dass sich dies zerstörend auf die Bauelemente auswirken kann. Die elektrische Feldstärke stellt in aktuellen Transistoren den kritischsten Faktor dar, von dem unter anderem parasitäre Effekte abhängig sind.

Minimal höhere Spannungen könnten sicherlich erst einmal verkraftet werden, wie sich dies dann allerdings dauerhaft im Bezug auf die Elektromigration auswirkt, bleibt offen. Man darf vermuten, dass ein Ausfall dann früher eintritt.

Höchst interessant in der Praxis zeigte sich aber der Effekt, dass DDR3-Kits, welche von den Speicherherstellern mit deutlich höheren Spannungen genannt wurden, sich auf der Core-i7-Plattform in Verbindung mit dem Intel-X58SO-Motherboard, in den gewünschten Taktraten oder Latenzzeiten betreiben ließen, obgleich wir die anliegende Spannung von 1,54 Volt nicht änderten.

Bild: Intel Core i7

So ließen sich zwei Kingston-HyperX-Module, welche Latenzen von 7-7-7-20 und DDR3-1333-Takt bei 1,7 Volt umsetzen können, auf der Plattform stabil mit den anliegenden 1,54 Volt betreiben. Gleiches galt für ein DDR3-1333 Pärchen von Corsair, welches der Hersteller bei CL9 mit 1,8 Volt Spannung freigab. Dort war es bei der Spannung von 1,54 Volt gar ebenfalls möglich, dass wir die Latenzen auf 7-7-7-20 absenken konnten und dennoch einen stabilen Betrieb antrafen.

Es entsteht also auch der Eindruck, dass die hochwertige X58-Platine hier ihren Teil zum reibungslosen Betrieb der Speichermodule bei diesen geringen Spannungen beiträgt. Bleibt im Umkehrschluss natürlich die Frage offen, ob all die angekündigten Drei-Kanal-Speicherkits der High-End-Hersteller, welche DDR3-1800 und darüber bei 1,65 Volt bewerkstelligen wollen, auch auf bisherigen DDR3-Plattformen mit P35/ P45- oder X38/ X48-Chipsatz mit dieser geringen Spannung lauffähig sind.


 

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