AMDs Llano-APU A8-3850 im Test - Gelegenheitsspieler aufgepasst

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Technik-Details


All dies sind jedoch nur die "offensichtlichen" Details. Einen ersten Blick unter die Haube gewährt dabei die nachfolgende Tabelle. Details zur integrierten Grafikeinheit oder den Kernen folgen später, in den entsprechenden Kapiteln.

ModellfamilieCore i5 6xx & i3 5xxCore i7, i5, i3Athlon IIPhenom IIE2, A4, A6 und A8
CodebezeichnungClarkdaleSandy BridgeRegor/ PropusDeneb/ ThubanLlano
ErscheinungsdatumJan. 2010Jan. 2011Juni 2009Feb. 2009Juni 2011
Sockel11561155AM3AM3FM1
max. Takt [GHz]3,63,43,3/ 3,13,6/ 3,32,9
Fertigung45 nm + 32 nm32 nm45 nm45 nm32 nm
Die-Größe [mm²]81 + 114131 bis 211max. 169max. 258/ 346228
Transistoren [Mio]383 + 177504 bis 995max. 300max. 758/ 9041.450
max. TDP [Watt]879595140100
Kerne22 und 42,3 und 42,3,4 und 62 und 4
L3-Cache8 MB8 MB-6 MB-
SpeicheranbindungDDR3-1333DDR3-1333DDR3-1333DDR3-1333DDR3-1866
Speicherkanäle22222
Speicherbandbreite21,2 GByte/s21,2 GByte/s21,2 GByte/s21,2 GByte/s29,8 GByte/s
Anbindung ChipsatzDMIDMI 2.0HTHTUMI
Chipsatzbandbreite2 GByte/s4 GByte/s16 GByte/s16 GByte/s4 GByte/s
iGPUjajaneinneinja


Fertigung und Transistorcount


Ein sicherlich sehr interessanter Aspekt, der in der Tabelle nur angedeutet wird, ist die neue Fertigung. So kommt bei den Llano-APUs zum ersten mal die neue 32-nm-Herstellung von Globalfoundries zum Einsatz. Dadurch sind selbst die potentesten APUs mit vier Kernen und einer Grafikeinheit mit 400 Shader-Einheiten lediglich 228 mm² groß – trotz des Einsatzes von 1,45 Milliarden Transistoren. Zum Vergleich: Ein Phenom II X6 mit knapp 0,9 Milliarden Transistoren verbraucht aufgrund der älteren 45-nm-Technologie satte 346 mm² Fläche.

Die Llano-APUs sind die ersten Prozessoren, die in Masse unter Verwendung der 32-nm-Technologie von Globalfoundries hergestellt werden. Die neue Fertigung zeichnet sich neben kleineren Strukturbreiten (32 nm statt 45 nm) auch durch den Einsatz eines so genannten high-k-Gateoxids aus. Dieses Oxid besitzt eine besonders hohe Dielektriziitätskonstante (engl. high-k), so dass die Gatekapazität und damit die Fähigkeit den Leitungskanal unterhalb des Gates zu kontrollieren im Vergleich zu einem herkömmlichen Siliziumoxid bei gleicher Dicke deutlich gesteigert werden kann. Darüber hinaus findet bei der neuen Herstellungstechnologie nun auch ein metallisches Gate Verwendung, sodass die Kontaktwiederstände am Gate geringer ausfallen. Schlussendlich kommt das Low-K-Dielektrikum zwischen den Leiterbahnen zum Einsatz, welches bereits aus dem E0-Stepping für die Phenom-II-X6-Prozessoren bekannt ist. Durch all diese Schritte sollen höhere Taktraten bei zugleich geringerem Verbrauch möglich werden.

Bild: AMDs Llano-APU A8-3850 im Test – Gelegenheitsspieler aufgepasst

Ebenfalls interessant in diesem Zusammenhang ist der Vergleich mit Intels "Sandy Bridge"-Ablegern. Die größten dieser Art besitzen etwa 1 Milliarden Transistoren, benötigen dafür jedoch 211 mm². Intel bringt also etwa 4,7 Millionen Transistoren pro mm² unter, während AMD bzw. Globalfoundries satte 6,3 Millionen Transistoren pro mm² platziert. AMD hat somit ganz offensichtlich das Design sehr stark optimiert um möglichst effizient mit der Chipfläche umzugehen. Etwa die Hälfte der Fläche entfällt dabei alleine auf den Grafikbeschleuniger, was sehr deutlich AMDs Ansatz der schwachen Kerne und starken iGPU unterstreicht. Bei Intel ist es hingegen genau anders herum, dort sind die vier Kerne zusammen deutlich größer als die iGPU.

Apropos Kerne, Fläche und Transistoren. Dank der verbesserten Fertigung passt ein Llano-Kern ohne L2-Cache in 9,7 mm² und das mit 35 Millionen Transistoren.

Für die Dual-Core-Prozessoren gibt es im Übrigen wohl keine extra Maske. Zumindest anfänglich werden diese somit durch das reine Deaktivieren von Hardwareeinheiten aus den Vierkern-Versionen gewonnen. Dies könnte auch ein Grund sein, warum die Zweikern-Modelle erst zu einem späteren Zeitpunkt den Markt betreten.


 

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